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J-GLOBAL ID：200903096600543388

高誘電体キャパシタ、半導体装置、およびその製造方法

Inventor： 林 軍 ,  中林 正明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998341938
Publication number (International publication number)：2000174226
Application date： Dec. 01, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Ta2 O5 をキャパシタ絶縁膜とする高誘電体キャパシタにおいて、容量を増大させる。【解決手段】 Ta2 O5 膜をRuの(002)面上に堆積し、低温酸化を行なった後、約800°Cで急速窒化工程を行なう。

Claim (excerpt)：

下側電極と、前記下側電極上に形成されたTa2 O5 よりなるキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上側電極とよりなり、前記キャパシタ絶縁膜は100を超える比誘電率を有することを特徴とする高誘電体キャパシタ。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C

F-Term (41)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038CD19 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ18 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF12 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD22 ,  5F083AD42 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR10 ,  5F083PR12 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-349426   Applicant：株式会社日立製作所
• キャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-076823   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置のキャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-048791   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-149982   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-302473   Applicant：日本電気株式会社
• キャパシタを有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-122188   Applicant：三菱電機株式会社