半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003000859
Publication number (International publication number)：2004214474
Application date： Jan. 07, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】外部信号に含まれるノイズに対し、対策を施した半導体装置と、該半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】グランド電極18を有する半導体ペレット12と、該半導体ペレットに接続されて、ノイズが重畳される恐れがある外部からの信号を受ける外部信号端子15としてのアンテナ端子を備える半導体装置10において、前記外部信号に含まれるノイズを除去すべく、前記グランド電極18が電気的に接続されているグランド端子17により、前記外部信号端子15の少なくとも周囲半部が取り囲まれている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

グランド電極を有する半導体ペレットと、該半導体ペレットに接続されて、ノイズが重畳される恐れがある外部からの信号を受ける外部信号端子とを備える半導体装置において、前記外部信号に含まれるノイズを除去すべく、前記グランド電極が電気的に接続されているグランド端子により、前記外部信号端子の少なくとも周囲半部が取り囲まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L23/12

FI (3)：

H01L23/12 E , H01L23/12 301Z , H01L23/12 501W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

表裏導通基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-226269 Applicant：富士通株式会社
セラミックス回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-302737 Applicant：株式会社東芝
高周波ハイブリッドアッテネータ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-190369 Applicant：東芝ライテック株式会社, 東芝エー・ブイ・イー株式会社

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