Pat
J-GLOBAL ID：200903078538638492

窒化ガリウム活性層を有する二重ヘテロ接合発光ダイオード

Inventor：
エドモンド,ジョン・アダム

About エドモンド,ジョン・アダム

, 
コング,ヒューア・シャウング

About コング,ヒューア・シャウング


Applicant, Patent owner：
クリー リサーチ インコーポレイテッド

About クリー リサーチ インコーポレイテッド


Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996534069
Publication number (International publication number)：1999504764
Application date： Apr. 15, 1996
Publication date： Apr. 27, 1999
Summary：
【要約】第1の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、および該窒化アルミニウムガリウム層の間の窒化ガリウム活性層を含み、該窒化ガリウム層を第II族のアクセプターおよび第IV族のドナーの両者で共にドープし、該活性層が逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム隣接層とp-n接合を形成するように、ドーパントの1つが窒化ガリウム層を真性伝導形式にするのに十分な量で存在する発光ダイオードの二重ヘテロ構造。
Claim (excerpt)：
発光ダイオードの二重ヘテロ構造において、前記ヘテロ構造が 第1の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、 逆の伝導形式を有する窒化アルミニウムガリウム層、および 前記窒化アルミニウムガリウム層の間の窒化ガリウム活性層を含み、前記窒化ガリウム層が、第II族のアクセプターおよび第IV族のドナーの両者で共にドープされ、前記ドーパントの1つが、前記窒化ガリウム活性層に真性伝導形式を与えるのに十分な量で存在し、前記活性層がそれと逆の伝導形式を有する該窒化アルミニウムガリウム隣接層とp-n接合を形成する二重ヘテロ構造。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM