磁気抵抗記憶素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001395072
Publication number (International publication number)：2002280526
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】電流駆動のデバイスである磁気抵抗記憶素子では、パルス波形が乱れると動作が不安定になる。このため、磁界を印加するための配線のインピーダンス不整合は、高速動作を困難とする。さらに、上記素子では、集積度の向上に伴って、磁気クロストークも生じやすくなる。【解決手段】本発明は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子に磁界を印加するための配線とを含み、この配線が、同一方向に伸長する2以上の導電線を含む磁気抵抗記憶素子を提供する。本発明によれば、1つの素子に複線路の導電線を用いて磁界を印加することにより、高速の応答および磁気クロストークの抑制が可能となる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に磁界を印加するための配線とを含み、前記配線が、同一方向に伸長する2以上の導電線を含む磁気抵抗記憶素子。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5F083BS13 , 5F083BS37 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-015633 Applicant：キヤノン株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-254074 Applicant：株式会社東芝
磁気記憶装置及びアドレッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-094165 Applicant：ソニー株式会社

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