薄膜トランジスタ及びその製法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清原義博
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007545474
Publication number (International publication number)：2008535205
Application date： Feb. 02, 2007
Publication date： Aug. 28, 2008
Summary：

本発明の薄膜トランジスタは、基板(1,11)と、前記基板上に間隔を有して形成された一対のソース・ドレイン電極(2,14)を有する。前記各ソース・ドレイン電極の少なくとも一部は、相互に離間して形成された一対の低抵抗導電性薄膜(10,20)により被覆されている。前記一対の低抵抗導電性薄膜上および前記低抵抗導電性薄膜の間隙には、チャネルとして形成された酸化物半導体薄膜層(3,15)が一体的に連続して形成されている。少なくともチャネル幅方向において、前記各低抵抗導電性薄膜の側端部が酸化物半導体薄膜層の側端部と揃うように同一形状に形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に間隔を有して形成された一対のソース・ドレイン電極と、相互に離間して形成され、それぞれが、前記ソース・ドレイン電極の少なくとも一部を被覆して形成された一対の低抵抗導電性薄膜と、前記一対の低抵抗導電性薄膜上および前記一対の低抵抗導電性薄膜の間隙に一体的に連続して形成され、且つ少なくともチャネル幅方向において、側端部が前記各低抵抗導電性薄膜の側端部と同一形状になるよう形成された、チャネルとして機能する酸化物半導体薄膜層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U

F-Term (30)：

5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE29 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-146907 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-145931 Applicant：富士通株式会社
パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-321918 Applicant：鹿児島日本電気株式会社

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