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J-GLOBAL ID:200903080201315831

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 繁明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994309903
Publication number (International publication number):1996146610
Application date: Nov. 17, 1994
Publication date: Jun. 07, 1996
Summary:
【要約】【目的】 感度、解像性、耐エッチング性などのレジスト特性に優れていると共に、特にパターン形状に優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。【構成】 〔A〕下記一般式1で表される構造単位と一般式2で表される構造単位を含有する重合体、及び〔B〕活性化放射線に照射されると酸を生成する放射線感応性成分を含むことを特徴とするレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【化1】【化2】これらの式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4の置換アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基から選ばれる。m及びnは、重合体中の各構造単位の割合を表し、全構造単位の割合の合計を1としたとき、0.1≦m≦0.7で、0.1≦n≦0.8である。
Claim (excerpt):
〔A〕下記一般式1で表される構造単位と一般式2で表される構造単位を含有する重合体、及び〔B〕活性化放射線に照射されると酸を生成する放射線感応性成分を含むことを特徴とするレジスト組成物。【化1】【化2】これらの式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4の置換アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基から選ばれる。m及びnは、重合体中の各構造単位の割合を表し、全構造単位の割合の合計を1としたとき、0.1≦m≦0.7で、0.1≦n≦0.8である。
IPC (4):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 561
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • パターン形成材料
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-275149   Applicant:三菱電機株式会社
  • 特開平4-269754
  • 感光性樹脂組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-271561   Applicant:キヤノン株式会社
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