高選択性CMPを用いた集積回路装置のトレンチ素子分離方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000140757
Publication number (International publication number)：2001007195
Application date： May. 12, 2000
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】製造過程が簡単ながらもトレンチの埋立てが容易なトレンチ素子分離方法を提供する。【解決手段】ベアシリコン基板100の一面にフォトレジストパターン110を形成し、フォトレジストパターン110を蝕刻マスクとして使用して基板100を所定深度蝕刻することによってトレンチTを形成した後、フォトレジストパターン110を除去する。そしてトレンチT内に絶縁層130を形成し、酸化セリウム系列の研磨剤を含むスラリーを使用して基板100が露出されるまで化学機械的研磨工程を遂行する。またトレンチTを形成した後結果物の全面に窒化物ライナーを形成してCMP工程のストッパとして使用してもよい。

Claim (excerpt)：

集積回路装置のトレンチ素子分離方法において、ベア基板の一面にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用し前記基板を所定深度蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去する段階と、前記トレンチ内に絶縁層を形成する段階と、絶縁層が形成された前記結果物に対して酸化セリウム系列の研磨剤を含むスラリーを使用して前記基板が露出されるまで化学機械的研磨工程を遂行する段階とを具備することを特徴とするトレンチ素子分離方法。

IPC (4)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/76 L , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

トレンチ分離構造を有するシリコンウェ-ハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336175 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
研磨用砥粒及び研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130523 Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド
トレンチ素子分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-334150 Applicant：三星電子株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

“Slurry engineering for self-stopping, dishing free SiO2-CMP”

Return to Previous Page