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J-GLOBAL ID：200903080303644570

物理量センサ

Inventor：
大橋 敏雄

About 大橋 敏雄


Applicant, Patent owner：
ヤマハ株式会社

About ヤマハ株式会社


Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031620
Publication number (International publication number)：2005221450
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】加速度、振動、傾き等の物理量を検出可能な小型の物理量センサ(静電容量併用ピエゾセンサ)を提供する。【解決手段】ピエゾセンサ22Aは、絶縁膜20上から開口部20aの内方へコイル状の巻回パターンをなすように形成された半導体層22a,22bと、層22a,22bの内方端部に連続して形成され、おもり層24Wが固定された半導体層22cとを備えている。層22a,22bの外方端部は、絶縁膜20に固定されて端子部T1,T2をそれぞれ構成する。層22a,22bで層22cを三次元的に変位可能に支持してセンサ部を構成する。開口部20aの底部には、層22cとの間に静電容量を形成する容量電極層16を設ける。層22b(又は22a)の側方には、層22b(又は22a)との間に静電容量を形成する容量電極層22Xを設ける。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも一方の主面が絶縁性を有する基板と、 前記基板の一方の主面を覆って形成され、該一方の主面の一部を露呈する開口部を有する絶縁膜と、 一方及び他方の端子部がそれぞれ前記開口部の一方側及び他方側で前記絶縁膜上に固定され、センサ部が前記一方及び他方の端子部で両側から支持された状態で前記開口部に配置されたピエゾセンサであって、前記開口部の一方側で前記絶縁膜上から前記開口部の内方へコイル状の巻回パターンをなすように形成された第1の半導体層と、前記開口部の他方側で前記絶縁膜上から前記開口部の内方へコイル状の巻回パターンをなすように形成された第2の半導体層と、前記第1及び第2の半導体層の内方端部を相互接続するように形成された導電性の質量部とを備え、前記第1及び第2の半導体層の前記絶縁膜上の外方端部を前記絶縁膜に固定して前記一方及び他方の端子部をそれぞれ構成し、前記質量部を前記第1及び第2の半導体層で三次元的に変位可能に支持して前記センサ部を構成したものと、 前記基板の一方の主面において前記開口部の底部に設けられ、前記質量部との間に静電容量を形成する電極層と を備え、前記第1及び第2の半導体層の抵抗変化と前記静電容量の容量値変化とに基づいて前記質量部の変位を検出する構成にした物理量センサ。
IPC (5)：
G01P15/12 ,  G01C9/06 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18
FI (5)：
G01P15/12 D ,  G01C9/06 R ,  G01P15/125 Z ,  G01P15/00 K ,  G01P15/08 P
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開昭62-174978号公報
Cited by examiner (9)
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