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J-GLOBAL ID：200903080453195561

金属基板を具えた半導体装置の製造方法

Inventor： 陳 乃權 ,  呉 伯仁 ,  鄒 元▲きん▼ ,  易 乃冠 ,  陳 建安
Applicant, Patent owner： 洲磊科技股▲ふん▼有限公司
Agent (1)： 竹本 松司 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001383146
Publication number (International publication number)：2003197980
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 金属基板の高導熱性により半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する金属基板を具えた半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】 本発明の金属基板を具えた半導体装置の製造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板となすステップと、続いて少なくとも一つの半導体層を半導体基板の上に形成するステップと、金属基板を半導体層の上に形成するステップと、最後に半導体基板を除去するステップと、を少なくとも含む。金属基板の高導熱性により半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する。

Claim (excerpt)：

金属基板を具えた半導体装置の製造方法において、半導体基板を提供するステップと、少なくとも一つの半導体層を該半導体基板の上に形成するステップと、該金属基板を半導体層の上に形成するステップと、該半導体基板を除去するステップと、を少なくとも含むことを特徴とする、金属基板を具えた半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  C23C 28/00

FI (2)：

H01L 33/00 Z ,  C23C 28/00 B

F-Term (14)：

4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BB06 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA46 ,  5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-160696   Applicant：信越半導体株式会社
• 発光ダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164818   Applicant：日立電線株式会社
• 発光ダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-064528   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子および発光ランプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-069421   Applicant：三洋電機株式会社
• GaN系の半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058128   Applicant：豊田合成株式会社
• LEDおよびLEDの組立方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024950   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Continuous-wave InGaN multiple-quantum-well laser diodes on copper substrates