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J-GLOBAL ID:200903052578047986
発光素子及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
菅原 正倫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000160696
Publication number (International publication number):2001339100
Application date: May. 30, 2000
Publication date: Dec. 07, 2001
Summary:
【要約】【課題】 素子からの光取出し効率が良好であり、加えて素子の端子取出し構造が単純で利便性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】 導電性基板2の第一主表面7側に金属層3と発光層部4と第一電極5とがこの順序にて形成され、第一電極5と導電性基板2とを通じて発光層部4への通電を行なう。金属層3での反射を利用することにより、良好な光取出し効率を実現できることに加え、発光素子の両側に電極又は端子を形成することが可能となる。
Claim (excerpt):
導電性基板の第一主表面側に金属層と発光層部と第一電極とがこの順序にて形成され、前記第一電極と前記導電性基板を通じて前記発光層部への通電が可能であることを特徴とする発光素子。
FI (2):
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 B
F-Term (13):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA91
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-148470
Applicant:日亜化学工業株式会社
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特開平4-029374
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半導体発光デバイス
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Application number:特願平4-049590
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発光ダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-064528
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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半導体レーザ用サブマウント
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-004321
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Application number:特願平8-164818
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Application number:特願平9-280794
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Application number:特願平11-058128
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発光素子及びその製造方法
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