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J-GLOBAL ID:200903081014694043
露光装置及び半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999107456
Publication number (International publication number):2000299274
Application date: Apr. 15, 1999
Publication date: Oct. 24, 2000
Summary:
【要約】【解決手段】 本発明は、照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、スリット光を受け取り転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、半導体球を回転可能に支持する手段とを有することを特徴とする。【効果】 本発明では、シリコン球に対するミラーの位置決めが容易となる。また転写パターンを連続的に形成できるので、ICを微細化する上で利点が高い露光装置を提供できる。
Claim (excerpt):
照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、前記スリット光を受け取り前記転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、前記マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、前記縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、前記ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、前記半導体球を回転可能に支持する手段とを有する露光装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/24 H
F-Term (13):
5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB02
, 5F046CB03
, 5F046CB05
, 5F046CB12
, 5F046CB23
, 5F046CB27
, 5F046CC01
, 5F046CC03
, 5F046CC13
, 5F046CC15
, 5F046CC20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-057607
Applicant:キヤノン株式会社
-
球状ICの露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-209476
Applicant:株式会社三井ハイテック
-
球状デバイス露光装置及び製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-057609
Applicant:キヤノン株式会社
-
露光装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-203218
Applicant:キヤノン株式会社
-
非平面露光ビームリトグラフィーを用いてミクロ構造体を製作する方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-012968
Applicant:サーコスグループ
-
マスクパターンデータ作成装置及びその作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-366298
Applicant:ボールセミコンダクターインコーポレイテッド, 株式会社川口光学産業
-
球状デバイス露光装置及び製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-101761
Applicant:キヤノン株式会社
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