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J-GLOBAL ID：200903081014694043

露光装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
武内 顕一

About 武内 顕一


Applicant, Patent owner：
宮崎沖電気株式会社

About 宮崎沖電気株式会社

, 
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999107456
Publication number (International publication number)：2000299274
Application date： Apr. 15, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：
【要約】【解決手段】 本発明は、照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、スリット光を受け取り転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、半導体球を回転可能に支持する手段とを有することを特徴とする。【効果】 本発明では、シリコン球に対するミラーの位置決めが容易となる。また転写パターンを連続的に形成できるので、ICを微細化する上で利点が高い露光装置を提供できる。
Claim (excerpt)：
照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、前記スリット光を受け取り前記転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、前記マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、前記縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、前記ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、前記半導体球を回転可能に支持する手段とを有する露光装置。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/24
FI (2)：
H01L 21/30 514 C ,  G03F 7/24 H
F-Term (13)：
5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB02 ,  5F046CB03 ,  5F046CB05 ,  5F046CB12 ,  5F046CB23 ,  5F046CB27 ,  5F046CC01 ,  5F046CC03 ,  5F046CC13 ,  5F046CC15 ,  5F046CC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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