ダイナミックランダムアクセスメモリに用いられる還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998269280
Publication number (International publication number)：2000012792
Application date： Sep. 24, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】情報をダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)に記憶するために使用され得る高誘電率コンデンサであって、還元雰囲気に対して耐性を有し、従って還元雰囲気における劣化に対して耐性を有する高誘電率コンデンサを提供する。【解決手段】アクセプタ型のドーパントでドープされたBa<SB>x</SB>Sr<SB>1-x</SB>TiO<SB>3</SB>、0<x<1(BST)を含む、還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物。

Claim (excerpt)：

アクセプタ型のドーパントでドープされたBa<SB>x</SB>Sr<SB>1-x</SB>TiO<SB>3</SB>、0<x<1(BST)を含む、還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 , C04B 35/46 , H01G 4/33 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 27/10 451 , C04B 35/46 C , H01G 4/06 102 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

F-Term (28)：

4G031AA03 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA16 , 4G031AA19 , 4G031AA21 , 4G031AA22 , 4G031AA27 , 4G031BA09 , 5E082BB10 , 5E082BC40 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082PP03 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038EZ14 , 5F083AD11 , 5F083GA25 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜強誘電性装置及び焦電性装置用ドナードープペロブスカイト材料形成方法及び構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-240104 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
誘電体薄膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-289017 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-217884 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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