絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002261042
Publication number (International publication number)：2004103688
Application date： Sep. 06, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】基板との界面付近における格子構造の歪みや結晶欠陥、さらには凹凸の発生なく、単結晶シリコンからなる基板上に金属酸化物を用いた絶縁膜を形成する方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる基板の処理表面に第1反応物を吸着させる第1工程(ステップS6)と、基板の処理表面に酸素を含む第2反応物を吸着させる第2工程(ステップS7)とを繰り返し行うことで、基板上に第1反応物に含有された物質の酸化物からなる絶縁膜を形成する方法であって、第1工程では、第1反応物として、金属を含有する反応物(Me含有反応物)とシリコンを含有する反応物(Si含有反応物)とを処理表面に吸着させると共に、工程の繰り返しの進行にともない、Si含有反応物の割合を段階的に減少させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンからなる基板の処理表面に第1反応物を吸着させる第1工程と、前記基板の処理表面に酸素を含む第2反応物を吸着させる第2工程とを繰り返し行うことで、前記基板上に第1反応物に含有された物質の酸化物からなる絶縁膜を形成する方法であって、前記第1工程では、前記第1反応物として、金属を含有する反応物とシリコンを含有する反応物とを前記処理表面に吸着させると共に、工程の繰り返しの進行にともない、前記シリコンを含有する反応物の割合を段階的に減少させることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L21/318 , H01L29/78

FI (2)：

H01L21/318 C , H01L29/78 301G

F-Term (25)：

5F058BA06 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF54 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

誘電体膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-095818 Applicant：東京エレクトロン株式会社
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242453 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
組成勾配を有する金属メタロイド酸化物および窒化物の堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-111503 Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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