ボンディング部のメッキ構造

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131573
Publication number (International publication number)：1998287994
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体半田付け部およびワイヤーボンディング部のメッキ構造にかかわる。【解決方法】半導体および電子部品の半田付部分あるいはワイヤボンディング部分に、下地メッキとしてNi-Bメッキが0.01〜20μmメッキされ、該Ni-Bメッキ膜の上にPdが0.001〜10μmメッキされ、該Pdメッキ膜の上にAuが0.005〜5μmメッキされてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体および電子部品の半田付部あるいはワイヤボンディング部に、下地メッキとしてNi-Bメッキが0.01〜20μmメッキされ、該Ni-Bメッキ膜の上にPdが0.005〜10μmメッキされてなることを特徴とするボンディング部のメッキ構造。

IPC (6)：

C25D 5/24 , C23C 18/50 , C23C 28/02 , H01L 21/288 , H01L 21/60 301 , H01L 21/321

FI (7)：

C25D 5/24 , C23C 18/50 , C23C 28/02 , H01L 21/288 E , H01L 21/60 301 P , H01L 21/92 603 E , H01L 21/92 604 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-337657
ICパッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-018934 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-333645 Applicant：株式会社後藤製作所

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