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J-GLOBAL ID：200903081673445590

垂直共振器型発光素子及びその製造方法

Inventor：
横川 俊哉

About 横川 俊哉


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006556
Publication number (International publication number)：1997064484
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低しきい値電流で発振する垂直共振器型半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11の上に、n型ZnSe層12、ZnCdSe井戸層とZnSeバリア層とから構成される多重量子井戸層13、及びp型ZnSe層14を順次積層する。p型ZnSe層14の両側には、電流を狭窄するための多結晶ZnO埋込層15が配置されている。レーザ発振を得るための反射鏡として、p型ZnSe層14の上とGaAs基板14をエッチングして露出させたn型ZnSe層12の表面とに、多結晶SiO2層と多結晶TiO2層とから構成される多層膜反射鏡17p及び17nがそれぞれ形成されている。さらに、ZnO層15の上には反射鏡17pを覆うようにp型AuPd電極16が、またn型GaAs基板の裏面にはn型AuGeNi電極18が、それぞれ設置されている。
Claim (excerpt)：
II-VI族半導体材料からなるエピタキシャル層の上に形成された、電流を狭窄するZnO層を備える、垂直共振器型発光素子。
IPC (5)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/086
FI (6)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/086
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (22)
  • 面発光型第2高調波生成素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-186877   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 面発光型第2高調波生成素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-122583   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 特開平4-363086
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