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J-GLOBAL ID:200903081921052656

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001331910
Publication number (International publication number):2002206012
Application date: Oct. 30, 2001
Publication date: Jul. 26, 2002
Summary:
【要約】【解決手段】 式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1は水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R2は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはアルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。Yは、炭素数1〜15の2価の基を示し、結合する原子団と共に環状構造を形成する。kは0又は1、mは0〜5の整数である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。
Claim (excerpt):
下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R2は水素原子、又は炭素数1〜15のアシル基もしくはアルコキシルカルボニル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。Yは、炭素数1〜15の2価の基を示し、結合する原子団と共に環状構造を形成する。kは0又は1、mは0〜5の整数である。)
IPC (6):
C08F232/00 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08G 61/06 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (6):
C08F232/00 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08G 61/06 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (52):
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA12 ,  4J032CA25 ,  4J032CA32 ,  4J032CB03 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CG00 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08S ,  4J100AR09P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA13P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BB01P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07S ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC22S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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