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J-GLOBAL ID:200903081937353400

ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000363516
Publication number (International publication number):2002167438
Application date: Nov. 29, 2000
Publication date: Jun. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成に有用なケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関を得る。【解決手段】 (A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
Claim (excerpt):
(A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
IPC (12):
C08G 77/48 ,  C08G 77/60 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (12):
C08G 77/48 ,  C08G 77/60 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (60):
4F071AA65 ,  4F071AA67 ,  4F071AF40 ,  4F071AH13 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4J002CP03X ,  4J002CP19W ,  4J002CP19X ,  4J002CP21W ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J035BA06 ,  4J035CA022 ,  4J035CA152 ,  4J035HA01 ,  4J035HA02 ,  4J035HB03 ,  4J035JA02 ,  4J035JB03 ,  4J035LB01 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL041 ,  4J038DL071 ,  4J038DL161 ,  4J038GA01 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038HA066 ,  4J038HA096 ,  4J038HA176 ,  4J038HA336 ,  4J038HA376 ,  4J038JA35 ,  4J038JA37 ,  4J038JA40 ,  4J038JB09 ,  4J038JB27 ,  4J038JB29 ,  4J038JB30 ,  4J038JC37 ,  4J038KA04 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F058AA02 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (22)
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