Pat
J-GLOBAL ID:200903081937353400
ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000363516
Publication number (International publication number):2002167438
Application date: Nov. 29, 2000
Publication date: Jun. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、塗膜の残留ストレスが小さく、機械的強度に優れたシリカ系膜が形成に有用なケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関を得る。【解決手段】 (A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
Claim (excerpt):
(A-1)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方と反応させて得られるケイ素ポリマー。 R11fX3-fSi-(R13)h-SiX3-gR12g ・・・・・(1)〔式中、R11〜R12は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、f〜gは同一または異なり、0〜2の整数、R13は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、Xはハロゲン原子、hは0または1を示す。〕
IPC (12):
C08G 77/48
, C08G 77/60
, C08J 5/18 CFH
, C08L 83/04
, C08L 83/14
, C08L 83/16
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/08
, C09D183/14
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (12):
C08G 77/48
, C08G 77/60
, C08J 5/18 CFH
, C08L 83/04
, C08L 83/14
, C08L 83/16
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D183/08
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
F-Term (60):
4F071AA65
, 4F071AA67
, 4F071AF40
, 4F071AH13
, 4F071BB02
, 4F071BC01
, 4J002CP03X
, 4J002CP19W
, 4J002CP19X
, 4J002CP21W
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J035BA06
, 4J035CA022
, 4J035CA152
, 4J035HA01
, 4J035HA02
, 4J035HB03
, 4J035JA02
, 4J035JB03
, 4J035LB01
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038DL041
, 4J038DL071
, 4J038DL161
, 4J038GA01
, 4J038GA07
, 4J038GA12
, 4J038HA066
, 4J038HA096
, 4J038HA176
, 4J038HA336
, 4J038HA376
, 4J038JA35
, 4J038JA37
, 4J038JA40
, 4J038JB09
, 4J038JB27
, 4J038JB29
, 4J038JB30
, 4J038JC37
, 4J038KA04
, 4J038MA08
, 4J038MA10
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 5F058AA02
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AH02
, 5F058AH03
, 5F058BA04
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
, 5F058BJ03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (22)
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ポリシラン類の精製方法
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Application number:特願平9-364153
Applicant:信越化学工業株式会社
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オルガノシロキサン重合体の製造方法
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Application number:特願平4-102118
Applicant:東ソー・アクゾ株式会社
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層間絶縁膜
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Application number:特願平10-364661
Applicant:大阪瓦斯株式会社
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特開平1-303432
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特開昭63-012637
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シリカ系被膜の製造法及び半導体装置の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-215496
Applicant:日立化成工業株式会社
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膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Gazette classification:公開公報
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Applicant:ジェイエスアール株式会社
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特開平1-096222
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有機ケイ素重合体並びにそれを用いたセラミックスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-359453
Applicant:工業技術院長, 日本カーボン株式会社
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ポリシランの製造方法
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Application number:特願平6-263772
Applicant:住友化学工業株式会社
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ポリシランの製造方法
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Application number:特願平7-052446
Applicant:住友化学工業株式会社
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ポリシランおよびポリシランの合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-067472
Applicant:株式会社東芝
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特開平3-041122
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特開平3-041123
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導電性重合体組成物
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Application number:特願平6-064492
Applicant:信越化学工業株式会社
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ケイ素系高分子化合物の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-021449
Applicant:信越化学工業株式会社
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特開平1-202749
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有機ケイ素高分子材料及び着色部材の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-015639
Applicant:株式会社東芝
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膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-220270
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
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Application number:特願2000-220271
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜
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Application number:特願2000-250361
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-289836
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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