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J-GLOBAL ID:200903082721899316
回路パターンの検査方法及び検査装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997326380
Publication number (International publication number):1999160402
Application date: Nov. 27, 1997
Publication date: Jun. 18, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】検査時間を増大させることなく、検出された欠陥部の欠陥内容を高速,高精度で検知できる方法及び装置の提供。【解決手段】被検査基板表面9表面の互いに同一設計パターンを有する第1,第2,第3の領域の電子線画像を順次取得しそれぞれ第一,第二,第三の画像記憶部46,47,48に一時記憶させ、先ず第1,第2の領域の記憶画像データ同士を比較演算部50で比較演算し、欠陥判定処理部51で両画像データ間の差異が所定値よりも大きかった場合には上記両領域の何れか一方にパターン欠陥があるものと判定した上で、両画像データを第四の画像記憶部49に送って記憶保存させる。次いで、第2、第3の領域の記憶画像データ同士を比較演算部50で比較演算し、欠陥判定処理部51で両画像データ間の差異が所定値よりも大きかった場合には第2の領域に真にパターン欠陥があるものと確定判定する。
Claim (excerpt):
回路パターンが形成された基板表面の第一の領域を一次電子線で走査する工程と、上記一次電子線により上記第一の領域から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号から上記第一の領域の電子線画像を形成する工程と、上記第一の領域の電子線画像を記憶する工程と、上記基板表面の第二の領域を上記一次電子線で走査する工程と、上記一次電子線により上記第二の領域から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号から上記第二の領域の電子線画像を形成する工程と、上記第二の領域の電子線画像を記憶する工程と、上記第一の領域の記憶画像データと上記第二の領域の記憶画像データとを比較する工程と、該比較結果に基づいて上記基板表面の上記第一の領域及び上記第二の領域のうちの何れかに上記回路パターンの欠陥部が存在するか否かを判定する工程と、該判定結果に基づいて上記欠陥部が存在すると判定された領域の上記画像データを記憶保存する工程とを含んでなることを特徴とする回路パターンの検査方法。
IPC (4):
G01R 31/302
, G01N 23/225
, H01L 21/66
, G01N 21/88
FI (5):
G01R 31/28 L
, G01N 23/225
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 Z
, G01N 21/88 E
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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特開昭60-260130
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半導体ウエハー欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-130355
Applicant:日本電気株式会社
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不良解析方法とそのシステム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-097435
Applicant:ソニー株式会社
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特開平2-306144
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欠陥種別判定装置及びプロセス管理システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-234818
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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Cited by examiner (21)
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特開昭60-260130
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半導体ウエハー欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-130355
Applicant:日本電気株式会社
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不良解析方法とそのシステム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-097435
Applicant:ソニー株式会社
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特開平2-306144
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欠陥種別判定装置及びプロセス管理システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-234818
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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特開昭59-192943
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繰返しパターンの欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-325191
Applicant:株式会社日立製作所
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荷電粒子ビームを用いるIC欠陥検出方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-179074
Applicant:株式会社アドバンテスト
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特開昭59-006537
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特開平3-232250
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特開平3-085742
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特開昭61-189406
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特開平4-107946
-
特開平2-133885
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パターン欠陥特定方法及びパターン欠陥検出方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-030971
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体基板の製造方法並びに被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-139198
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体ウエハの欠陥分類方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-261869
Applicant:株式会社神戸製鋼所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, ケーティーアイ・セミコンダクター株式会社
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パターン欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-234373
Applicant:株式会社東芝
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特開平3-085742
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パターン検査方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-222567
Applicant:ソニー株式会社
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特開平3-292752
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