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J-GLOBAL ID：200903083054871951

自励発振型半導体レーザ

Inventor：
平田 照二

About 平田 照二


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008016673
Publication number (International publication number)：2008113038
Application date： Jan. 28, 2008
Publication date： May. 15, 2008
Summary：
【課題】製造歩留りが高く、高温動作時や高出力動作時においても安定に自励発振する自励発振型半導体レーザを提供する。【解決手段】第1導電型の第1のクラッド層102、活性層103及び第2導電型の第2のクラッド層104と、第2のクラッド層のストライプ部の両側の電流狭窄層108とを有し、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が活性層の両脇に形成され、第1のクラッド層中に光モードを第1の導電側に引き込むモード引き込み層102bが設けられ、pn接合と平行かつ共振器長方向と垂直な横方向の導波に関して作りつけの屈折率差Δnがパルセーションを維持して発生可能な範囲内に保持され、導波の外側にあたる第2のクラッド層の厚さdが、ストライプ部を通して活性層に対して注入される電流の横方向の広がりを略ストライプ部の底部のストライプ幅Wの近傍に抑止可能な狭さに設定された構成とする。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に第1導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有し、レーザ共振器内部に可飽和吸収体が活性層の両脇に形成された自励発振型半導体レーザであって、 上記pn接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な横方向の導波に関して作りつけの屈折率差Δnをパルセーションを維持して発生可能な範囲内に保持するように、上記第1導電型の第1のクラッド層中に、光モードを第1の導電側に引き込むモード引き込み層が設けられ、かつ 上記導波の外側にあたる上記第2のクラッド層の厚さdが、上記ストライプ部を通して活性層に対して注入される電流の横方向の広がりを略上記ストライプ部の底部のストライプ幅Wの近傍に抑止可能な狭さに設定されている 自励発振型半導体レーザ。
IPC (1)：
H01S 5/065
FI (1)：
H01S5/065 610
F-Term (10)：
5F173AA05 ,  5F173AA53 ,  5F173AB83 ,  5F173AF24 ,  5F173AF53 ,  5F173AH08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR05 ,  5F173AS03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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