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J-GLOBAL ID：200903088188617301

半導体レーザ素子

Inventor：
松本 晃広

About 松本 晃広


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997273163
Publication number (International publication number)：1999112087
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 動作電圧の増大を伴わずに閾値電流を低減することが可能な半導体レーザ素子を提供する。また、発振波長ずれを併せて防止することも可能とする。【解決手段】 多重量子井戸構造の活性層105を挟んで、第1ガイド層104及び第2ガイド層106が設けられた半導体レーザ素子において、第1ガイド層104及び第2ガイド層106を量子井戸層120に隣接させると共に第1ガイド層104及び第2ガイド層106の禁制帯幅を量子井戸層120の禁制帯幅より大きくし、且つ、第1ガイド層104及び第2ガイド層106の少なくとも一方の禁制帯幅を量子障壁層121の禁制帯幅よりも小さくする構成とする。
Claim (excerpt)：
複数の量子井戸層と、該複数の量子井戸層で挟まれた量子障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層を挟んで、第1ガイド層及び第2ガイド層が設けられた半導体レーザ素子であって、該第1ガイド層及び該第2ガイド層を該量子井戸層に隣接させると共に該第1ガイド層及び該第2ガイド層の禁制帯幅を該量子井戸層の禁制帯幅より大きくし、且つ、該第1ガイド層及び該第2ガイド層の少なくとも一方の禁制帯幅を該量子障壁層の禁制帯幅よりも小さくした半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264184   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050830   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039404   Applicant：松下電器産業株式会社
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Cited by examiner (11)
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264184   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050830   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039404   Applicant：松下電器産業株式会社
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