プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002184366
Publication number (International publication number)：2004031566
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】給電部の電位が低く、プラズマ処理の面内均一性に優れ、制御性にも優れ、しかも、大面積のプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】内部の圧力が制御可能な真空容器と、真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、真空容器内に設けられて上面に基板を載置する電極と、この電極に対向配置され2つのコイル31a、31bを並列に配置してなる平面状のコイルアンテナ31とコイル31a、31b各々に直列に接続されたコンデンサ34a、34bとを備えた集合体アンテナ15とを備え、集合体アンテナ15と電極との間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて基板に処理を施すことを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

内部の圧力が制御可能な容器と、該容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられて一主面上に被処理物を載置する第1の電極と、該第1の電極に対向配置された第2の電極とを備え、これら第1及び第2の電極間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させて前記被処理物に処理を施すプラズマ処理装置において、前記第2の電極は、複数のコイルを並列に配置してなる平面状のコイルアンテナと前記コイル各々に直列に接続された1つ以上のコンデンサとを備えた集合体アンテナからなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L21/3065 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H05H1/46

FI (4)：

H01L21/302 101C , H01Q1/22 Z , H01Q1/38 , H05H1/46 L

F-Term (17)：

5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004CA09 , 5J046AA04 , 5J046AA12 , 5J046AB02 , 5J046AB12 , 5J046PA07 , 5J047AA04 , 5J047AA12 , 5J047AB02 , 5J047AB12 , 5J047EF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマエッチング・CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-308284 Applicant：ソニー株式会社
反応性イオンエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-193951 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-339249 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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