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J-GLOBAL ID:200903083906174128
炭化珪素半導体装置の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006101930
Publication number (International publication number):2007281005
Application date: Apr. 03, 2006
Publication date: Oct. 25, 2007
Summary:
【課題】SiC表面に形成される酸化膜の厚さムラを抑制できるSiC半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】レジスト23を炭化させることで形成したカーボン層、つまり下地となるSiCとの密着性が良好な材料をマスクとして、不純物の活性化処理を行う。これにより、カーボン層で確実に下地を覆った状態で不純物の活性化のための熱処理を行うことが可能となる。したがって、SiC表面からのSi抜けを防止することが可能となり、カーボンリッチ層が形成されることを防止することができる。これにより、カーボンリッチ層を除去するための犠牲酸化膜形成工程や犠牲酸化膜除去工程を行わなくても良くなるため、犠牲酸化膜形成工程や犠牲酸化膜除去工程を経ることによる「くびれ」が形成されることを防止でき、ゲート酸化膜7の膜厚ムラを抑制することが可能となり、ゲート酸化膜信頼性の低下、引いてはデバイス特性の悪化を防止できる。【選択図】図4
Claim (excerpt):
炭化珪素半導体(2、5)に不純物のイオン注入を行ったのち、前記不純物を活性化させるための熱処理を施すことによって前記注入された不純物を活性化させることで不純物層(3、4)を形成する不純物層形成工程と、
前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面に酸化膜(7)を形成する工程と、を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記不純物形成工程は、
前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面に有機系溶剤で構成されるレジスト(23)を塗布したのち、前記レジスト(23)を炭化させるための熱処理を行うことにより、前記レジスト(23)に含まれる有機物を蒸発させることで前記レジスト(23)を炭化させ、カーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層にて前記不純物層(3、4)を含む前記炭化珪素半導体(2、5)の表面を覆った状態で、前記不純物を活性化させるための熱処理を行う工程と、
前記カーボン層を除去する工程と、を含み、
前記酸化膜(7)を形成する工程は、前記カーボン層を除去する工程を行った後で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (2):
H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-129773
Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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炭化珪素素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-117111
Applicant:松下電器産業株式会社
Cited by examiner (8)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-243853
Applicant:松下電器産業株式会社
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炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-240172
Applicant:富士電機株式会社
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炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-156916
Applicant:三菱電機株式会社
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炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-129773
Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-005750
Applicant:松下電器産業株式会社
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SiC半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-171808
Applicant:松下電器産業株式会社, 国立大学法人京都大学
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炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-148538
Applicant:新日本無線株式会社
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炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-293720
Applicant:富士電機株式会社
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