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J-GLOBAL ID：200903084015388131

薄膜の製造方法及び装置

Inventor：
新井 真

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石橋 暁

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小松 孝

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中村 肇

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清田 淳也

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杉浦 功

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Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002037825
Publication number (International publication number)：2003239069
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】カソード背面に設置するマグネトロン磁気回路の数を増やすことにより、低コストで生産性も高く、酸化物透明導電膜のような薄膜を形成できる製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に2つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを2つ発生させるように構成される。また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した2つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に400G以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が350V以下となるように構成される。
Claim (excerpt)：
スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に2つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを2つ発生させるように構成したことを特徴とする薄膜の製造装置。
F-Term (10)：
4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC40 ,  4K029DC43 ,  4K029EA09 ,  4K029KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
  • マグネトロンスパッタ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-257591   Applicant：アネルバ株式会社
  • マグネトロンスパッタ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-053194   Applicant：シャープ株式会社
  • 特公平7-072346
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