マグネトロンスパッタ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257591
Publication number (International publication number)：1996092740
Application date： Sep. 27, 1994
Publication date： Apr. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】マグネトロンスパッタ装置によるITO薄膜等の成膜で、特定条件の下でRF方式を利用することによりその膜厚と膜特性の均一性を向上する。【構成】マグネット組立22を併用してプラズマ50を生成し、このプラズマを利用して基板23に透明導電膜を成膜するマグネトロンスパッタ装置であり、高い充填密度を有するターゲット21と、このターゲットに対してプラズマ生成のための放電用電力の主たる部分を供給する高周波電源41とを備え、成膜時における不純物ガス分圧が3×10-6Torr以下である。ターゲットの充填密度は70%以上であり、マグネット装置によるターゲット表面での平行方向の最大磁場の強さが500G以下であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

マグネット装置を併用してプラズマを生成し、このプラズマを利用して基板に透明導電膜を成膜するマグネトロンスパッタ装置において、高い充填密度を有するターゲットと、このターゲットに対してプラズマ生成のための放電用電力の主たる部分を供給する高周波電源とを備え、成膜時における不純物ガス分圧が3×10-6Torr以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。

IPC (3)：

C23C 14/35 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-358027 Applicant：日電アネルバ株式会社
スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-220818 Applicant：日電アネルバ株式会社
スパッタリング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-357124 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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Cited by examiner (12)

スパッタリング装置
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