高周波半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001099962
Publication number (International publication number)：2002299564
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 MMICはその内部で高周波信号が取り扱われており、チップ外部からの電磁波などがMMICの動作に悪影響を及ぼすことがある。シールド可能で高価なメタルパッケージやセラミックパッケージを使わず、また、一つのパッケージ内に複数の素子を搭載するには、素子自身の発する電磁波による相互干渉を防止しなければならない。【解決手段】 MMICの表面をシールドプレートによって保護し、外部電磁波による干渉あるいは、外部への電磁波の漏洩をチップ単体で減少する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられ、接地電位と接続される接地プレートと、前記接地プレート上に層間絶縁膜を介して設けられた線路導体と、外部接続のための端子部と、最上層に位置する前記線路導体上に層間絶縁膜を介して設けられ、接地電位に接続されるシールドプレートと、を備えることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/04 H , H01L 27/04 F

F-Term (9)：

5F038BE07 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CA10 , 5F038CA12 , 5F038CD02 , 5F038CD04 , 5F038DF02 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-198354 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平3-138978
特開平3-165058

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Cited by examiner (14)

集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-198354 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平3-138978
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-044264 Applicant：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

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