薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258264
Publication number (International publication number)：2007073697
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】電子キャリア濃度が1018/cm3未満の酸化物を安定して製造できる製造方法を提供することにある。【解決手段】 In、Zn及びOを含み、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

In、Zn及びOを含み、透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、前記透明アモルファス酸化膜をスパッタ法により形成する工程を含み、当該スパッタ法により前記透明アモルファス酸化膜を形成する際の雰囲気ガス中に水を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B

F-Term (20)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

導電性透明基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-132030 Applicant：出光興産株式会社
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208948 Applicant：ホーヤ株式会社
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団

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Cited by examiner (1)

光学素子機能を有する透明導電膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-375134 Applicant：日東電工株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Transparent thin-film transistors with zinc indiu oxide channel layer

Cited by examiner (1)

Transparent thin-film transistors with zinc indiu oxide channel layer

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