半導体パワーモジュール

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004208703
Publication number (International publication number)：2006032617
Application date： Jul. 15, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】耐パワーサイクル、耐温度サイクル及び耐湿性に優れ、経済的で長寿命の樹脂封止形半導体パワーモジュールの提供。【解決手段】セラミック絶縁基板102に高純度溶融アルミの放熱基板4、高純度溶融アルミの導電部6,15を直接接合した絶縁基板を使用し、予め耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系被覆樹脂9を薄く塗布し硬化させ、その上に、低ヤング率で、はんだ3の線膨張係数に合わせたエポキシ系の封止樹脂10を充填することで、単一層のはんだ工程などにより大幅にコストを低減しつつ、高信頼性、小型・軽量化パワーモジュールを実現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、この絶縁基板上にはんだを介して固着された半導体チップと、この半導体チップ表面に接続されたワイヤと、前記半導体チップと前記ワイヤを含む収納部品の表面を覆う比較的軟らかい被覆樹脂と、これらの部品を収納するケースと、前記被覆樹脂の上に、前記被覆樹脂よりも硬い封止樹脂を充填した半導体パワーモジュールにおいて、前記絶縁基板を、セラミック絶縁基板に直接アルミを接合した複合基板で形成し、前記被覆樹脂を、ポリイミド系又はポリアミドイミド系の樹脂で形成し、前記封止樹脂を、線膨張係数が14〜24×10-6/°C、室温(15〜20°C)におけるヤング率が3〜20GPaのエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (4)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2)：

H01L23/30 B , H01L25/04 C

F-Term (11)：

4M109AA02 , 4M109BA04 , 4M109CA10 , 4M109CA21 , 4M109DB15 , 4M109EA07 , 4M109EA11 , 4M109EC04 , 4M109ED03 , 4M109EE02 , 4M109GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162804 Applicant：三菱電機株式会社
リードフレーム並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-326687 Applicant：九州日本電気株式会社
アルミニウム-セラミックス複合部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-005263 Applicant：同和鉱業株式会社

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Cited by examiner (10)

特開平1-225142
パワー半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402127 Applicant：富士電機株式会社
金属セラミックス回路基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-267206 Applicant：同和鉱業株式会社

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