Pat

J-GLOBAL ID：200903086860336542

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 君塚 直彦 ,  岩本 敏幸 ,  今井 清隆 ,  益岡 有里
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005237209
Publication number (International publication number)：2006093670
Application date： Aug. 18, 2005
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】 従来のチャネル領域に不純物を注入することのみで閾値電圧を調整するよりも少ない不純物量で電界効果型トランジスタの閾値電圧を調整する。【解決手段】 半導体装置100は、シリコン基板101と、シリコン基板101上に形成されたSiON膜113および多結晶シリコン膜106を含むP型MOSFET103を備える。多結晶シリコン膜106とSiON膜113との界面115に、Hf、Zr、Al、La、Pr、Y、Ti、TaおよびWからなる群から選択される一または二以上の金属が存在する構成とし、界面115における当該金属の濃度を5×1013atoms/cm2以上1.4×1015atoms/cm2未満とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板の上に設けられたSi含有ゲート電極と、 前記半導体基板と前記Si含有ゲート電極との間に設けられ、前記Si含有ゲート電極と接するゲート絶縁膜と、 を含む複数の電界効果型トランジスタを備え、 前記複数の電界効果型トランジスタにおいては、前記Si含有ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との界面に、Hf、Zr、Al、La、Pr、Y、Ti、TaおよびWからなる群から選択される一または二以上の金属が存在し、 前記界面における前記金属の濃度が5×1013atoms/cm2以上1.4×1015atoms/cm2未満であり、 少なくとも1つの前記電界効果トランジスタのチャネル領域中の不純物濃度は、他の前記電界効果トランジスタのチャネル領域中の不純物濃度と異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G

F-Term (55)：

5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD02 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-008648   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-082614   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-082614   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-147370
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135400   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭59-125650
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-144652   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-154268   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-023477   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-261896   Applicant：株式会社日立製作所