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J-GLOBAL ID：200903086974427297

層間絶縁膜の形成方法、化学的気相成長装置、及び半導体装置

Inventor： 前田 和夫
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079828
Publication number (International publication number)：2000277515
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】被形成体上に下地絶縁膜を形成し、該下地絶縁膜上に、Si2 H6と、酸化性ガスとを反応ガスとして用いる化学的気相成長法により、多孔性を有するSiO2 膜を形成し、該多孔性を有するSiO2 膜をH(水素)プラズマ処理し、該多孔性を有するSiO2 膜上にプラズマSiO2 膜、及びTEOS+O3による流動性を有するSiO2 膜を形成後、表面をエッチングにより平坦化し、平坦化された表面上にカバー絶縁膜を形成する、層間絶縁膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

Si2 H6 と、酸化性ガスとを反応ガスとして用いる化学的気相成長法により、被形成体上に多孔性を有するSiO2 膜を形成する層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 P

F-Term (101)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR15 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB36 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB16 ,  5F045BB19 ,  5F045CB05 ,  5F045DC52 ,  5F045DC61 ,  5F045DC63 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14 ,  5F045HA13 ,  5F045HA22 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF21 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF31 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• プラズマCVD法による成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-180947   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-205592   Applicant：日本電気株式会社
• 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320973   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-139737   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-256424   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-004973
  
• ATM交換機における呼受付判定方式
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240683   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-139825
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161250   Applicant：株式会社東芝