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J-GLOBAL ID:200903088648112351

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 服部 毅巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006281694
Publication number (International publication number):2008098585
Application date: Oct. 16, 2006
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】生産性の高い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10内の電気的接続を複数の導体板であるリードフレーム23,24,25,26,27で行う。ここで、それぞれの溶接部23a,23b,23c,24a,24b,24c,25a,25b,26a,26b,27a,27bがレーザー溶接で用いるレーザー光源に向けて露出するように、リードフレーム23,24,25,26,27を立体的に配置する。そして、レーザー光を照射させ、レーザー溶接を行う。このような半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、溶接が簡便且つ確実になり、半導体装置及び半導体装置の生産性が高くなる。また、リードフレーム23,24,25,26,27に冷却効果があり、ヒートスプレッダとしての機能を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
少なくとも1つの半導体素子を搭載した半導体装置において、 前記半導体装置内の電気的接続を複数の導体板によって行い、 前記複数の導体板に設けたそれぞれの溶接部がレーザー溶接で用いるレーザー光源に向けて露出するように、前記複数の導体板が立体的に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1):
H01L 21/60
FI (1):
H01L21/60 321E
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • パワー半導体モジュール
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-347356   Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
Cited by examiner (6)
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