Pat
J-GLOBAL ID：200903088755168114

縮小可能性が改良された磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

Inventor：
エンゲル、ブラッドレー エヌ.

About エンゲル、ブラッドレー エヌ.

, 
サブチェンコ、レオニード

About サブチェンコ、レオニード

, 
ジェーンスキー、ジェイソン アレン

About ジェーンスキー、ジェイソン アレン

, 
リゾ、ニコラス ディ.

About リゾ、ニコラス ディ.


Applicant, Patent owner：
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

About フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド


Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003544760
Publication number (International publication number)：2005510048
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
縮小可能な磁気抵抗トンネル接合メモリセル(5)は、磁界が印加されていない状態で好適な方向に固定される磁気モーメントベクトルを有する強磁性固定領域(55)と、強磁性固定領域の上に配置されて磁気抵抗トンネル接合を形成する電気絶縁材料(70)と、そして強磁性固定領域のベクトルと平行になる、または反平行になる関係に配向される磁気モーメントベクトルを有する強磁性自由領域(135)と、を備える。強磁性自由領域は、反強磁性結合するN個の強磁性層(80,100)を含み、この場合Nは2以上の整数である。強磁性層の数Nを調整してMRAMデバイスの有効磁化反転体積を大きくすることができる。
Claim (excerpt)：
磁気抵抗トンネル障壁を形成するように設計された電気絶縁材料と、 前記電気絶縁材料の片側に位置し、前記電気絶縁材料に隣接する磁気モーメントベクトルを有する第1磁化領域と、 前記電気絶縁材料の反対側に位置し、前記絶縁材料に隣接する磁気モーメントベクトルを有するとともに、前記第1磁化領域の前記磁気モーメントベクトルと平行、又は反平行になる関係に配向される第2磁化領域と、前記電気絶縁材料及び前記第1磁化領域及び第2磁化領域は磁気抵抗トンネル接合デバイスを形成することと、 前記第1磁化領域及び第2磁化領域の内の少なくとも一つが磁化反転体積を有する複合反強磁性層材料を有することと、前記複合反強磁性層材料は反強磁性結合するN個の強磁性層を備え、この場合Nは2以上の整数であることと、前記磁化反転体積は、磁気抵抗メモリ素子が横方向に寸法が縮小されても、Nを変化させて不揮発性メモリ動作の反転に十分なエネルギー障壁を維持することにより調整可能となることとを備える、縮小可能な磁気抵抗トンネル接合メモリセル。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
F-Term (2)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM