半導体発光デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999269087
Publication number (International publication number)：2001094219
Application date： Sep. 22, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】この発明は、境界面における歪み量の絶対値を低減し、半導体特性を向上させることを目的とする。【解決手段】 GaAs半導体基板1上に形成された井戸層41と障壁層43の積層構造からなる多重量子井戸層で活性層4が構成され、上記活性層4は2種類の相反する歪みを有し、全体的な歪み量を相殺した半導体レーザ装置において、活性層4は引っ張り歪みを有するGaInP層41と圧縮歪みを有するAlGaInP層43との間に無歪みのAlGaInP層42が挿入されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された井戸層と障壁層の積層構造からなる多重量子井戸層で活性層が構成され、上記活性層は2種類の相反する歪みを有し、全体的な歪み量を相殺した半導体発光デバイスにおいて、活性層を構成する相反する歪みを有する層の間に無歪みの層が挿入されていることを特徴とする半導体発光デバイス。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 , H01L 33/00 B

F-Term (12)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CB03 , 5F041FF16 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

多重量子井戸構造光半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-068631 Applicant：日本電気株式会社
歪多重量子井戸構造およびその製造方法ならびに半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-023937 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-096918 Applicant：株式会社日立製作所

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