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J-GLOBAL ID:200903089970292752
フェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (9):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 岡部 讓
, 臼井 伸一
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 朝日 伸光
, 三山 勝巳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005183231
Publication number (International publication number):2006130903
Application date: Jun. 23, 2005
Publication date: May. 25, 2006
Summary:
【課題】基板を切断する周辺に熱膨張及び衝撃波が全く発生しないフェムト秒レーザーを用いて切断することで、消耗費用を減らせるようにしたフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法を提供する。【解決手段】本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法は、基板100をステージ上に整列する段階、このステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザー201を照射して切断する段階とを備えることを特徴とする。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
基板をステージ上に整列する段階、
前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して切断する段階と
を備えることを特徴とするフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
IPC (5):
B28D 5/00
, B23K 26/03
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, C03B 33/09
FI (5):
B28D5/00 Z
, B23K26/03
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, C03B33/09
F-Term (20):
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069CA03
, 3C069CA11
, 3C069EA03
, 4E068AE01
, 4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA14
, 4E068CC02
, 4E068CE02
, 4E068CE04
, 4E068CK01
, 4E068DA09
, 4E068DB11
, 4G015FA06
, 4G015FB01
, 4G015FC14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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基板切断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-035794
Applicant:エヌイーシーマシナリー株式会社
-
脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-356476
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
レーザー誘起破壊及び切断形状を制御する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-526364
Applicant:ザリージェンツオブザユニバーシティーオブミシガン
-
半導体チップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-348011
Applicant:積水化学工業株式会社
-
レーザ加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-268044
Applicant:株式会社シンク・ラボラトリー
-
レーザを集束するための方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-099858
Applicant:松下電器産業株式会社
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