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J-GLOBAL ID：200903090139135622

シリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法

Inventor：
後藤 浩之

About 後藤 浩之

, 
荒木 延恵

About 荒木 延恵


Applicant, Patent owner：
東芝セラミックス株式会社

About 東芝セラミックス株式会社


Agent (1)： 木下 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002071762
Publication number (International publication number)：2003270167
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 特殊な装置を用いた測定等を行うことなく、シリコンウエハに存在するCOP等のグローン・イン欠陥の体積密度を簡易に評価するシリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法により製造された同一のシリコン単結晶の近接した部位から得られた複数の鏡面加工されたシリコンウエハについて、前記ウエハの表面に、膜厚がそれぞれ異なる酸化膜を形成した後、光散乱式表面検査装置を用いて、各シリコンウエハの表面欠陥を光散乱体として検出し、その個数Nを測定し、(1)式により、前記シリコンウエハに存在するグローン・イン欠陥の体積密度D(cm-3)を算出することにより求める。 D=N/((R-E)2 π(d/2+A)×10-7) ...(1)(式中、Rはシリコンウエハの半径(cm)、Eはエッジカット(cm)、dは酸化膜厚(nm)、Aは装置定数(nm)である。)
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により製造された同一のシリコン単結晶の近接した部位から得られた複数の鏡面加工されたシリコンウエハについて、前記ウエハの表面に、膜厚がそれぞれ異なる酸化膜を形成した後、光散乱式表面検査装置を用いて、各シリコンウエハの表面欠陥を光散乱体として検出し、その個数Nを測定し、(1)式により、前記シリコンウエハに存在するグローン・イン欠陥の体積密度D(cm-3)を算出することを特徴とするシリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法。 D=N/((R-E)2 π(d/2+A)×10-7) ...(1)(式中、Rはシリコンウエハの半径(cm)、Eはエッジカット(cm)、dは酸化膜厚(nm)、Aは装置定数(nm)である。)
IPC (4)：
G01N 21/956 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/47 ,  G01N 21/55
FI (4)：
G01N 21/956 A ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/47 Z ,  G01N 21/55
F-Term (15)：
2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051CB05 ,  2G051EA16 ,  2G051EC03 ,  2G059AA05 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059GG01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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