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J-GLOBAL ID：200903090324176149

ガスおよびRF(無線周波数)出力を反応室に供給するための積重ねられたシャワヘッド組立体

Inventor：
ヒルマン、ジョセフ、ティ

About ヒルマン、ジョセフ、ティ


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999551816
Publication number (International publication number)：2001508836
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】プロセスガスを使用する基板上への物質層の化学蒸着用反応室10は、基板を収容するためのプロセス空間14を画定する内壁16を有する室本体12、プロセス空間を有効に閉鎖するためのふた22、およびプロセスガスをプロセス空間内に分散するための室本体12内側に設置された平らなシャワヘッド44を有する。下方絶縁板50は、シャワヘッドを室本体から電気的に絶縁するため、シャワヘッドの一側に、シャワヘッドと室本体12との間に設置され、上方絶縁板52は、シャワヘッドを室本体およびふた22から電気的に絶縁するため、シャワヘッド44の他側に、シャワヘッドおよび室本体およびふた22の間に設置される。たな42は室本体の内壁に設けられ、平らなシャワヘッド44および上方52および下方50絶縁板は積重ねられた構造物として配置され、かつプロセスガスをプロセス空間内の基板に導入するため、プロセス空間14の近傍のたな42の上に設置される。
Claim (excerpt)：
プロセスガスを使用する基板上への物質層の化学蒸着用反応室において、該反応室が、 基板を収容するためのプロセス空間を画定する内壁を有する室本体、 プロセス空間を有効に閉鎖するため室本体と接続する形状にされたふた、 プロセスガスをプロセス空間内に分散するための室本体内側に設置された平らなシャワヘッド、 室本体の内壁に設置されたたなであって、室本体のたながプロセスガスをプロセス空間内の基板に導入するためのプロセス空間近傍のその周縁においてシャワヘッドをうけ入れかつシャワヘッドを支持する形状にされたたな、 を有し、それにより経費のかからないかつ容易に補修される化学蒸着用ガス供給システムが得られる化学蒸着用反応室。
IPC (4)：
C23C 16/505 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285
FI (4)：
C23C 16/505 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (2)
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-002115   Applicant：株式会社東芝
  • 成膜装置および成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168437   Applicant：株式会社ジーティシー

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