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J-GLOBAL ID：200903090862957576

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
高鍋 昌一

About 高鍋 昌一

, 
中堀 正樹

About 中堀 正樹

, 
内田 祐介

About 内田 祐介


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004126690
Publication number (International publication number)：2005311105
Application date： Apr. 22, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 閾値電圧のばらつきを低減させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。【解決手段】 基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、該絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、該半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、該絶縁性アンダーコート層は、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマCVDで形成されたシリコン酸化膜層である薄膜トランジスタである。該シリコン酸化膜層の炭素原子濃度は6×1019/cm3〜1×1020/cm3の範囲内であることが好ましく、また窒素原子濃度は3×1019/cm3以下であることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、前記絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、前記半導体活性層の上に絶縁して形成されるゲート電極とを備えた薄膜トランジスタであって、前記絶縁性アンダーコート層が、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマCVDで形成されたシリコン酸化膜層からなることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L21/336
FI (2)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G
F-Term (27)：
5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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