鏡面面取りウェーハの品質評価方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379119
Publication number (International publication number)：2003177100
Application date： Dec. 12, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】鏡面仕上げされた面取り面を高い精度で品質評価する鏡面面取りウェーハの品質評価方法を提供する。【解決手段】鏡面仕上げされたシリコンウェーハWの面取り面に、アルカリ性エッチング液を使用し、1.5μmエッチングする。これにより、面取り面に存在する横スジ、各種のキズおよびPCR時の加工ダメージなどの凹み欠陥が選択的にエッチングされる。その結果、従来のウェーハエッジ欠陥自動検査装置では検出が不可能な程度の微細な凹み欠陥でも、ピットPとして検出可能な大きさまで増幅される。これにより、より高い精度で鏡面面取りウェーハWの品質評価を行うことができる。

Claim (excerpt)：

鏡面面取りされた半導体ウェーハの面取り面に、アルカリ性エッチング液を使ってエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を増幅する工程と、この増幅された面取り面の凹み欠陥を測定する工程とを備えた鏡面面取りウェーハの品質評価方法。

IPC (5)：

G01N 21/956 , G01B 21/30 , H01L 21/306 , H01L 21/66 , G01B 11/30

FI (5)：

G01N 21/956 A , G01B 21/30 , H01L 21/66 J , G01B 11/30 A , H01L 21/306 B

F-Term (26)：

2F065AA49 , 2F065BB25 , 2F065CC19 , 2F065CC32 , 2F065FF44 , 2F065GG03 , 2F069AA60 , 2F069BB15 , 2F069GG04 , 2F069GG07 , 2F069PP04 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AB03 , 2G051AB05 , 2G051AB07 , 2G051AB10 , 2G051BA10 , 2G051CB05 , 4M106AA01 , 4M106AB20 , 4M106CA24 , 4M106CA38 , 4M106DH55 , 5F043AA02 , 5F043BB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-153621 Applicant：信越半導体株式会社
シリコンウエーハの評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-153622 Applicant：信越半導体株式会社
半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-339897 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 株式会社ノリタケカンパニーリミテド

Show all

Return to Previous Page