平坦化したゲートバスを備えたトレンチ・パワーMOSFET

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大島陽一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006501216
Publication number (International publication number)：2006520091
Application date： Mar. 04, 2004
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】縦型トレンチゲートパワーMOSFETにおいて、高密度で不可欠なゲートバスおよび比較的平面もしくは平坦な表面形状をしたデバイスの効率的エリアにゲートコンタクト構造を備え、活性縦型MOSFETの大きなアレイを統合可能とする。【解決手段】パワーMOSFETおよびその製造プロセスは、トレンチの内の連続的な伝導性ゲート構造を採用して、アクティブセル領域のトレンチゲートを形成し、ゲートバストレンチ中にゲートバスを形成する。ゲートバストレンチはデバイストレンチに接続し、広くしてもよく、狭くしてもよく、金属/シリサイドを含んでもよい。またポリシリコンには、金属/シリサイドを包囲してもよい。CMPプロセスにより伝導性ゲート構造および/または重なる絶縁層を平坦化してもよく、このプロセスは、アクティブセル領域中のセルフアライメントのコンタクト部もしくは従来のコンタクト部の形成に適合する。

Claim (excerpt)：

パワーMOSFETであって、第1および第2のトレンチが上面に延設された基板と、前記第1のトレンチ側壁の少なくとも一部に沿って縦方向に配置されたソース領域、チャネル領域およびドレイン領域と、前記第1および第2のトレンチ内に連続的に延設されたゲート構造であって、その上部表面は前記基板の上部表面へ延設されず、その第1の部分は前記第1のトレンチ側壁で縦型デバイスのゲートとして作用し、その第2の部分は前記第2のトレンチに配置された該ゲート構造と、前記ゲート構造の前記第2の部分に接触するゲートコンタクトとを含むことを特徴とするパワーMOSFET。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 21/336

FI (9)：

H01L29/78 653C , H01L29/78 652K , H01L29/78 652M , H01L29/78 652B , H01L29/78 652R , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A , H01L29/78 658Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置において自己配列接点を供する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-330604 Applicant：ヴィシェイ-シリコニックス
トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-079667 Applicant：シリコニックス・インコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-125895 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

半導体装置において自己配列接点を供する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-330604 Applicant：ヴィシェイ-シリコニックス
トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-079667 Applicant：シリコニックス・インコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-125895 Applicant：株式会社東芝

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