熱処理方法及び熱処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999107304
Publication number (International publication number)：2000299287
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】熱処理の品質を落とすことなく成膜レートなどの熱処理速度を高くすることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して処理ガスを流して所定の熱処理を施す熱処理装置において、複数の被処理体を所定のピッチで配列させて支持する被処理体支持具26と、前記被処理体を収容するための真空引き可能になされた処理容器4と、前記複数の被処理体の一端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの小さなガス導入口38と、前記複数の被処理体の他端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの大きなガス吸引口40と、前記被処理体支持具を、前記処理容器内へロード及びアンロードさせる挿脱機構28とを備える。これにより、熱処理の品質を落とすことなく成膜レートなどの熱処理速度を高くする。

Claim (excerpt)：

所定のピッチで配列した複数の被処理体に対して処理ガスを流して所定の熱処理を施すに際して、前記配列された複数の被処理体の一端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの小さなガス導入口から前記複数の被処理体の他端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの大きなガス吸引口に向けて前記処理ガスを流して前記被処理体間に前記処理ガスを通過させるようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , F27B 5/06 , F27D 3/12 , H01L 21/22 511 , H01L 21/324

FI (7)：

H01L 21/205 , F27B 5/06 , F27D 3/12 Z , H01L 21/22 511 S , H01L 21/324 Q , H01L 21/324 R , H01L 21/324 S

F-Term (28)：

4K055AA06 , 4K055HA01 , 4K055HA12 , 4K061AA01 , 4K061AA05 , 4K061BA11 , 4K061CA08 , 4K061CA13 , 4K061CA21 , 4K061DA05 , 4K061EA10 , 4K061FA07 , 4K061FA12 , 4K061FA14 , 4K061GA04 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB02 , 5F045EC02 , 5F045EE20 , 5F045EF02 , 5F045EG02 , 5F045EN04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

縦型減圧化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-318759 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-339005 Applicant：株式会社エフティーエル
特開昭64-081216

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