Pat

J-GLOBAL ID：200903091347197727

レジストパターン形成方法

Inventor： 小林 英一 ,  横山 健一 ,  田辺 隆喜 ,  岩永 伸一郎
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 大井 正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130689
Publication number (International publication number)：1998319596
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高い解像度が得られると共に、所期のパターン形状を有するレジストパターンが形成され、PEDが長い場合であっても、微細なレジストパターンを確実に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)下記式(1)で表される繰り返し単位と下記式(2)で表される繰り返し単位とを有する共重合体、および(B)放射線を受けることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性組成物を用い、当該感放射線性組成物からなる塗膜に放射線を照射し、その後、当該塗膜を130〜160°Cの温度で30秒間以上焼成する工程を有する。〔式(1)において、R1は水素原子またはメチル基を示す。式(2)において、R2は水素原子またはメチル基を示し、R3は炭素数4〜10の3級アルキル基を示す。〕

Claim (excerpt)：

(A)下記式(1)で表される繰り返し単位と下記式(2)で表される繰り返し単位とを有する共重合体、および(B)放射線を受けることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性組成物を用い、当該感放射線性組成物からなる塗膜に放射線を照射し、その後、当該塗膜を130〜160°Cの温度で30秒間以上焼成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。【化1】〔式(1)において、R1 は水素原子またはメチル基を示す。式(2)において、R2 は水素原子またはメチル基を示し、R3 は炭素数4〜10の3級アルキル基を示す。〕

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 遠紫外線用レジスト組成物及びこれを用いた微細パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-083199   Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 化学増幅型感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046672   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 新規オニウム塩およびそれを含有する感放射線性樹脂 組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-358730   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• デバイス製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-296036   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• フォトレジストイメージ形成プロセスおよび集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275953   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-073169   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 特開平3-223858
  
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-125006   Applicant：株式会社東芝