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J-GLOBAL ID：200903091374742338

半導体基板又は薬品の不純物分析方法

Inventor：
徳島 かおり

About 徳島 かおり


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 池条 重信 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000052701
Publication number (International publication number)：2001242052
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ICP-MSや濃縮/TXRF分析法において、加熱以外の方法で評価溶液が各分析において適した溶液種にすることにより、薬液及び半導体基板の不純物分析の感度、精度を向上させた半導体基板又は薬品の不純物分析方法の提供。【解決手段】 被検査不純物などを溶解含有する評価溶液を、加熱することなく減圧下で蒸発させて、残渣を濃度が低い希酸溶液で溶解させて再評価溶液となすことにより、汚染や副生成物を生成せず濃縮可能であり、さらに乾固された残留物は希薄で少量の回収溶液でも回収が容易であり、より高感度、高精度の分析が可能になる。
Claim (excerpt)：
被検査不純物などを溶解含有する酸またはアルカリ性溶液からなる評価溶液をICP-MSにて分析して不純物量を特定する半導体基板又は薬品の不純物分析方法において、前記評価溶液を加熱することなく減圧下で濃縮又は乾固させる工程、その残渣を弗酸又は塩酸溶液で溶解させて再評価溶液となす工程、再評価溶液を分析する工程を含む半導体基板又は薬品の不純物分析方法。
IPC (4)：
G01N 1/36 ,  G01N 1/28 ,  G01N 23/223 ,  G01N 27/62
FI (5)：
G01N 23/223 ,  G01N 27/62 V ,  G01N 1/28 Z ,  G01N 1/28 L ,  G01N 1/28 X
F-Term (13)：
2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001CA01 ,  2G001GA01 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001NA10 ,  2G001NA11 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001QA02 ,  2G001RA10 ,  2G001RA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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