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J-GLOBAL ID:200903091375421870

ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999305673
Publication number (International publication number):2001127029
Application date: Oct. 27, 1999
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体チップの認識を確実に行うことができ、半導体チップを効率良く製造可能な表面保護シートを提供すること。【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該表面保護シートの引張試験において、10%伸張時の応力緩和率が、1分後で、40%以上であることを特徴としている。
Claim (excerpt):
半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該表面保護シートの引張試験において、10%伸張時の応力緩和率が、1分後で、40%以上であることを特徴とする表面保護シート。
IPC (2):
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301
FI (2):
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 Q
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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