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J-GLOBAL ID：200903091931361423

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
村上 哲朗

About 村上 哲朗


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997191663
Publication number (International publication number)：1999040843
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 格子不整合による転位の影響を防いで半導体発光素子の信頼性の向上を図る。【解決手段】 (AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)からなるダブルヘテロ構造上に、GaAs1-zPz(0≦z≦1)電流拡散層15が設けられている。AlGaAs電流拡散層を用いた場合のように、電流拡散層の酸化による素子特性の劣化が生じない。また、AlGaAs層とGaAsP層との2層の電流拡散層を用いた場合のように、界面に格子不整合による転位が集中することがないため、ダブルヘテロ構造に影響を及ぼさない。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に、(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)からなるダブルヘテロ構造を少なくとも有し、該ダブルヘテロ構造上に、GaAs1-zPz(0≦z≦1)からなる電流拡散層が設けられている半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-210521   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • AlGaInP発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342409   Applicant：昭和電工株式会社
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211229   Applicant：株式会社日立製作所
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