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J-GLOBAL ID：200903092321039410

カーボンナノチューブを合成する方法

Inventor： キシンヘ タンク ,  クラウス マウトナー ,  エルンスト ハメル ,  ハンス レーシュナー ,  エルマー プラッツグマー ,  ゲルハルト シュテングル
Applicant, Patent owner： エレクトロファック,ファブリカーティオン エレクトロテヒニシェー シュペツィアラルティケル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  イーエムエス-イオネン ミクロファブリカーティオンス システメ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002361296
Publication number (International publication number)：2003226509
Application date： Dec. 12, 2002
Publication date： Aug. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 改善されたカーボンナノチューブ(CNT)の合成方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブの物理的、化学的及び/又は導電性特性を変更するために、イオンビーム2をカーボンナノチューブ4形成の前、間及び/又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材1上に形成された触媒層3にカーボンナノチューブ4を合成する方法とする。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び/又は導電性特性を変更するために、カーボンナノチューブ形成の前、間及び/又は後に、イオンビームを用いることを特徴とする、気相からのカーボンの触媒蒸着によって、支持体部材上に形成された触媒層上にカーボンナノチューブ(CNT)を合成する方法。

IPC (8)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 37/02 301 ,  B01J 37/16 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/513

FI (8)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 37/02 301 P ,  B01J 37/16 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/513

F-Term (47)：

4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA22C ,  4G069BB02A ,  4G069BC17C ,  4G069BC27A ,  4G069BC32A ,  4G069BC33A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC72A ,  4G069BC75A ,  4G069BD01C ,  4G069BD02C ,  4G069BD03A ,  4G069BD07A ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EB15X ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FA08 ,  4G069FB02 ,  4G069FB40 ,  4G069FB44 ,  4G069FC04 ,  4G069FC06 ,  4G146AA11 ,  4G146BA01 ,  4G146BA04 ,  4G146BA48 ,  4G146BC08 ,  4G146BC15 ,  4K030AA11 ,  4K030AA20 ,  4K030BA01 ,  4K030BA27 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030DA05 ,  4K030FA12 ,  4K030FA14 ,  4K030FA17 ,  4K030JA01 ,  4K030KA49 ,  4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• 熱化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-015874   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
• 電界電子放出素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-066552   Applicant：株式会社東芝
• ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215600   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 特開昭62-281349
  
• 荷電ビーム処理装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053965   Applicant：株式会社日立製作所
• イオン注入方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-101924   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-058518
  
• CNTとCNT集合体、電界放出型冷陰極電子放出素子とその製造方法、および該電子放出素子を用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-215902   Applicant：株式会社リコー
• ナノチューブの加工方法及び電界放出型冷陰極の製造方法並びに表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-368424   Applicant：日本電気株式会社
• カ-ボンナノチュ-ブを含む物を製造するための方法および切り取られたカ-ボンナノチュ-ブを含むデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-015645   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 電子の電界放出特性を高めたナノチューブ基材料の作成方法(連邦政府の資金援助による研究または開発に関する声明)本発明の少なくともいくつかの態様は、契約番号N00014-98-1-05907の下で政府によって支援された。政府は、本発明において一定の権利を有し得る。
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-505401   Applicant：ザユニバーシティオブノースカロライナ-チャペルヒル
• 変性カーボンナノチューブを用いた電界放射装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-582073   Applicant：ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
• 特開昭62-281349
  
• 特開平4-058518
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Field emission from patterned carbon nanotube emitters produced by microwave plasma chemical vapor d
• Defects caused by high-energy ion beams, as measured by scanning probe methods
• Progress in ion projection lithography
• Progress in ion projection lithography