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J-GLOBAL ID:200903093137655911

エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000352983
Publication number (International publication number):2002157953
Application date: Nov. 20, 2000
Publication date: May. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 CNT膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法を提供する。【解決手段】 エミッタの製造方法では、ガラス基板10上に、複数のカーボンナノチューブ(CNT)12aを含みエミッタ電極12bを構成するCNT膜12を形成し、CNT膜12上に絶縁膜13を介してゲート電極16を形成し、ゲート電極16及び絶縁膜13に複数のゲート開口17を形成し、ゲート開口17内のCNT12aを直立配向させる。
Claim (excerpt):
基板上に、複数のカーボンナノチューブ(CNT)を含むエミッタを構成するCNT膜を形成し、前記CNT膜表面のCNTを直立配向させることを特徴とするエミッタの製造方法。
IPC (3):
H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (3):
H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C
F-Term (8):
5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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