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J-GLOBAL ID：200903093329303571

半導体構造

Inventor：
清水 貴思

About 清水 貴思


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005257580
Publication number (International publication number)：2007073663
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：
【課題】 金属ゲート電極層に望まれる特性は、微細加工を施された半導体立体構造体上に段差被覆率良く被覆されていることである。またもう一つの特性は、堆積された電極層の表面が1ナノメートルのスケールで平坦であり、電極層の堆積後に特別な平坦化処理を施すことなく電気的な絶縁を目的とした誘電体層を被服することが可能なことである。また、金属ゲート電極層に望まれる更なる特性の一つは、通常の半導体プロセスと同様のエッチング加工性を有していることである。また、金属ゲート電極層に望まれるもうひとつの特性は、結晶粒界がなく均一であり、不純物拡散が抑制された構造であることである。【解決手段】 上記特性を満たす最良の金属ゲート電極としてアモルファス構造の金属電極が優れていることを見出し、本発明に至った。【選択図】 図9
Claim (excerpt)：
半導体、該半導体を覆う誘電体層及び該誘電体層を覆う電極層から成る半導体構造体において、該電極層は、アモルファス構造であることを特徴とする半導体構造体。
IPC (9)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/78
FI (9)：
H01L29/78 617M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/285 C ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 618C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 301G
F-Term (132)：
4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB29 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP56 ,  5F083JA05 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BH02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA01 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA18 ,  5F140BB04 ,  5F140BB05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BE18 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF34 ,  5F140BF38 ,  5F140BF47 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CA02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
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