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J-GLOBAL ID：200903093795326301

窒化物半導体素子

Inventor：
園部 真也

About 園部 真也


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003300714
Publication number (International publication number)：2004006991
Application date： Aug. 26, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】 p型窒化物半導体層に形成される電極における光の吸収を少なくして外部量子効率の良い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、p型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極を形成することにより、電極とp型窒化物半導体層との良好なオーミック接触が得られると共に、電極が高反射率を有するので、電極における光の吸収が少なくなり、外部量子効率の良い窒化物半導体素子が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくともp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
F-Term (24)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA52 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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