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J-GLOBAL ID：200903084925930525

窒化物半導体発光素子

Inventor：
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000359324
Publication number (International publication number)：2002164575
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：
【要約】【課題】 カラーレーザプリンターやバーチャルリアリティーなどに用いることができる、スポットサイズが小さくかつ単一モードの発光が得られる発光ダイオードを提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層の上にp型窒化ガリウム系化合物半導体層からなるp層を備えた発光ダイオードにおいて、p層の上面の一部を開口させる開口部を有する絶縁膜をp層を覆うように形成し、かつ開口部を介してp層とオーミック接触する透明電極を形成した。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層の上にp型窒化ガリウム系化合物半導体層からなるp層を備えた発光ダイオードにおいて、上記p層の上面の一部を開口させる開口部を有する絶縁膜が、上記p層を覆うように形成され、かつ上記開口部を介して上記p層とオーミック接触する透明電極が形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/43
FI (3)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/46 H
F-Term (31)：
4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB02 ,  5F041CB16 ,  5F041FF13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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