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J-GLOBAL ID：200903093983187718

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor：
中島 三郎

About 中島 三郎


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (2)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005285015
Publication number (International publication number)：2007096090
Application date： Sep. 29, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：
【課題】ワイヤボンディング時の機械的ストレスや衝撃により半導体発光層の発光領域にダメージを与えないようにして、発光強度の低下やリーク電流の増大を防止することができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板1とp側電極6及び絶縁層5とは導電性融着層7を介して接合されている。半導体発光層として発光領域を含む窒化物半導体層2が形成されており、窒化物半導体層2の下側には金属からなるp側電極6が形成されている。n側電極は、n側ワイヤボンディング用電極3と補助電極4とで構成されている。n側ワイヤボンディング用電極3は、窒化物半導体層2が形成されている領域と離れた領域に配置されているので、ワイヤボンディング時の衝撃やストレスが窒化物半導体層2に加わらない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導電性基板上に、少なくとも、第1電極、発光領域を含む半導体発光層、第2電極が順に積層され、前記第2電極の一部がワイヤボンディング用電極を構成している半導体発光素子において、前記ワイヤボンディング用電極を前記半導体発光層と上下に重ならないように、半導体発光層が形成されている領域から分離した領域に配置したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/60
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L21/60 301N
F-Term (5)：
5F041AA44 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F044EE02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 光センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-342804   Applicant：三洋電機株式会社
Cited by examiner (10)
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