窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001370658
Publication number (International publication number)：2003174193
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】発光の信頼性が高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体発光素子は、第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられている。

Claim (excerpt)：

第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

F-Term (13)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

発光素子および発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-153499 Applicant：日亜化学工業株式会社
GaN系の半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-280711 Applicant：豊田合成株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-193085 Applicant：株式会社東芝

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